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| 反射式GaAs负电子亲和势光电阴极的激活 | |
| 引用本文： | 郭太良,王敏,黄振武,高怀蓉.反射式GaAs负电子亲和势光电阴极的激活[J].福州大学学报(自然科学版),1988(3):57-60. |
| 作者姓名： | 郭太良 王敏 黄振武 高怀蓉 |
| 作者单位： | 福州大学物理系 (郭太良，王敏，黄振武)，福州大学物理系(高怀蓉) |
| 摘 要： | 本文叙述反射式ＧａＡｓ负电子亲和势（ＮＥＡ）光电阴极的激活工艺已制备出积分灵敏度为４４０～１１７７μＡ／ｌｍ的光电阴极。文中讨论了对ＮＥＡ光电阴极稳定性的影响因素，铯和氧的作用，以及ＮＥＡ的形成机理。 |
| 关 键 词： | GaAs 负电子亲和势光电阴极 激活 |
Activation of the Reflecting Type GaAs Negative Electron Affinity Photocathode |
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| Guo Tailian,Wang Min,Huang Zhenwu and Gao Huairong.Activation of the Reflecting Type GaAs Negative Electron Affinity Photocathode[J].Journal of Fuzhou University(Natural Science Edition),1988(3):57-60. | |
| Authors: | Guo Tailian Wang Min Huang Zhenwu and Gao Huairong |
| Institution: | Department of Physics |
| Abstract: | |
| Keywords: | GaAs negative electron affinity photocathode activation |
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