CMOS电路的静电放电失效分析 |
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作者姓名: | 范焕章 石桥 宦强 孙沩 杨兴 |
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作者单位: | 华东师范大学电子系,华东师范大学电子系,华东师范大学电子系,华东师范大学电子系,上海元件五厂 |
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摘 要: | 静电放电(ESD)对半导体器件的损伤是影响电子产品可靠性的重要因素。在ESD引起的损伤中,有90%的概率会造成器件在使用现场的早期失效,因此ESD会严重影响器件的可靠性。我们用人体模型电路测量了部份CMOS电路的ESDS,对ESD失效器绊作了分析;根据被测器件的ESDS的统计分布规律,计算了CMOS器件的静电放电失效概率。
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