| Bi2Se3纳米线的生长及其圆偏振光电流的研究 |
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| 引用本文： | 李铭贵,崔广州,俞金玲. Bi2Se3纳米线的生长及其圆偏振光电流的研究[J]. 福州大学学报(自然科学版), 2023, 51(1): 20-26 |
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| 作者姓名： | 李铭贵 崔广州 俞金玲 |
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| 作者单位： | 福州大学物理与信息工程学院，福建 福州 350108 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金资助项目（62074036，61674038）；福建省对外合作资助项目（2019I0005）；福建省高校杰出青年科研计划资助项目（00382408）。 |
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| 摘 要： | 采用化学气相沉积法制备拓扑绝缘体Bi2Se3纳米线.系统分析生长温度和气体流量对Bi2Se3纳米线的形貌、晶体质量的影响，并研究Bi2Se3纳米线的圆偏振光致电流.研究结果表明，Bi2Se3纳米线的最佳生长温度为530℃,气体流量为30 mL·min-1.通过扫描电子显微镜、透射电子显微镜、拉曼等表征手段，表明所生长的Bi2Se3纳米线具有较高的质量. Bi2Se3纳米线的光电流随着四分之一波片的变化表明，Bi2Se3纳米线具有较强的自旋轨道耦合效应.圆偏振光致电流随入射角的增大而减小，这是因为Bi2Se3的对称性结构为C3V.相比Bi2Se3薄膜或者B...
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| 关 键 词： | 拓扑绝缘体 化学气相沉积法 Bi2Se3纳米线 圆偏振光致电流效应 |
| 收稿时间： | 2022-01-10 |
| 修稿时间： | 2022-02-09 |
Growth and circular photogalvanic effect investigation of Bi2Se3 nanowires |
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| LI Minggui,CUI Guangzhou,YU Jinling. Growth and circular photogalvanic effect investigation of Bi2Se3 nanowires[J]. Journal of Fuzhou University(Natural Science Edition), 2023, 51(1): 20-26 |
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| Authors: | LI Minggui CUI Guangzhou YU Jinling |
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