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| 第一块l-Gbit DRAM问世 | |
| 摘 要： | 目前,在德国慕尼黑举行的电子展示会,据称是迄今为止最大规模的电子器件展览.展示会上,三星半导体公司宣布研制成功1-Gbit DRAM全工作模.公司发言人称:这种新器件目前用于室温下工作.三星公司的1-Gbit DRAM是世界上第一块这种类型存储器,它包含1074000000全工作单元,芯片总面积为569.5mm~2.由于它采用0.18μm COMS工艺技术,所以可实现大批量生产.这种1-Gbit DRAM工 |
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