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分类号
杂志ISSN号
n-Ge中的反常霍耳效应
作者姓名:
邢旭
作者单位:
东北师范大学物理系 长春
摘 要:
反常霍耳效应的研究,虽然已经取得了不少成果,可是由于对它的理论解释目前还存在很大的分歧,所以至今这方面的实验研究和理论研究还都正在进行之中。 到目前为止,在各种半导体样品中,已被发现的全部反常霍耳效应,均出现在低温或超低
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