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分类号
杂志ISSN号
2T2C铁电存储单元读写电路的单粒子翻转效应研究
作者姓名:
高占占
钟向丽
侯鹏飞
宋宏甲
李波
王金斌
摘 要:
针对2T2C铁电存储单元读写电路进行了单粒子翻转效应的仿真模拟,研究了单粒子入射读写电路的不同敏感节点对存储数据的影响,并分析了数据读写出错的内在机制.结果表明:单粒子入射存储阵列中的字线晶体管时,存储数据未发生翻转,这主要是因为铁电电容极化信息波动后又恢复至原状态;单粒子入射外围电路中的板线激发器和灵敏放大器时,存储数据发生了翻转,这主要是因为外围电路产生的单粒子瞬态脉冲造成数据读出出错,进而导致了回写数据翻转.
关 键 词:
铁电存储单元;单粒子翻转;单粒子瞬态脉冲
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