| 下电极TiN粗糙度对HZO薄膜铁电性的影响 |
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| 引用本文： | 于浩然,马海力,罗庆.下电极TiN粗糙度对HZO薄膜铁电性的影响[J].湘潭大学自然科学学报,2019(5):121-126. |
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| 作者姓名： | 于浩然 马海力 罗庆 |
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| 摘 要： | 传统钙钛矿铁电薄膜具有一系列优点的同时也具有较为明显的缺点，主要包括：与Si工艺兼容性较差、物理厚度较大、带隙宽度较小以及非环境友好等2011年新型掺杂HfO2铁电薄膜的出现，为解决上述一系列问题提供了新思路其中，因铁电性能显著及易于制备，HfO2 ZrO2固溶体（HZO）体系成了重要的研究热点之一与此同时，在充分考虑制备成本和可控沉积条件之后，研究者发现溅射技术是制备HZO薄膜较为有效的手段之一该文在利用溅射技术制备TiN/HZO/TiN（MFM）铁电电容结构的过程中发现：下电极TiN粗糙度对新型HfO2基MFM电容结构铁电性的产生具有重要影响；相较于磁控溅射技术而言，离子束溅射技术制备的下电极TiN具有更好的粗糙度，更有利于体系铁电性能的出现.
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| 关 键 词： | 新型铁电薄膜 下电极粗糙度 HZO（HZO） |
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