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| 基于铁电薄膜HfO2的双阈值 负电容独立栅FinFET器件 | |
| 引用本文： | 徐萧萧,胡建平.基于铁电薄膜HfO2的双阈值 负电容独立栅FinFET器件[J].湘潭大学自然科学学报,2019(5):136-140. |
| 作者姓名： | 徐萧萧 胡建平 |
| 摘 要： | 将一定厚度的铁电材料HfO2应用到独立栅基准器件FinFET的前栅和后栅表面，构成具有对称栅结构的负电容独立栅FinFET器件通过调整新器件的栅功函数、结构参数和铁电材料参数，构建高阈值和低阈值负电容独立栅FinFET器件提出的双阈值负电容独立栅FinFET器件具有较小的亚阈值摆幅和较大的开关电流比，在降低功耗方面具有显著的优势 |
| 关 键 词： | 双阈值独立栅FinFET 负电容FinFET 低功耗 铁电薄膜HfO2 |
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