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硅HCl氧化的金相观测及分层椭偏测试的初步研究
引用本文:李孝傑,梁国富,刘涛.硅HCl氧化的金相观测及分层椭偏测试的初步研究[J].暨南大学学报,1982(2).
作者姓名:李孝傑  梁国富  刘涛
作者单位:暨南大学物理系,暨南大学物理系,暨南大学物理系
摘    要:本文研究了氧化温度为1150℃,HCl与O_2的体积比为0%、6%、8%、10%、12%,硅的热生长二氧化硅(SiO_2)层,逐层腐蚀的金相观测.在SiO_2层厚度为1400A°范围内,金相观测获得的由富氯相(Chlorine rich phase)引起的表面粗糙物形态,与文献1]报导的扫描电子显微镜(SEM)观测相同.C-V测试的结果表明:HCl与O_2的体积

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