硅HCl氧化的金相观测及分层椭偏测试的初步研究 |
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引用本文: | 李孝傑,梁国富,刘涛.硅HCl氧化的金相观测及分层椭偏测试的初步研究[J].暨南大学学报,1982(2). |
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作者姓名: | 李孝傑 梁国富 刘涛 |
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作者单位: | 暨南大学物理系,暨南大学物理系,暨南大学物理系 |
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摘 要: | 本文研究了氧化温度为1150℃,HCl与O_2的体积比为0%、6%、8%、10%、12%,硅的热生长二氧化硅(SiO_2)层,逐层腐蚀的金相观测.在SiO_2层厚度为1400A°范围内,金相观测获得的由富氯相(Chlorine rich phase)引起的表面粗糙物形态,与文献1]报导的扫描电子显微镜(SEM)观测相同.C-V测试的结果表明:HCl与O_2的体积
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