AlN缓冲层条件下普通玻璃上InN的制备方法 |
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引用本文: | 苗丽华,;张东,;李昱材.AlN缓冲层条件下普通玻璃上InN的制备方法[J].科技咨询导报,2014(28):67-68. |
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作者姓名: | 苗丽华 ;张东 ;李昱材 |
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作者单位: | [1]沈阳医学院基础数理教研室; [2]沈阳工程学院新能源学院,辽宁沈阳110136 |
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基金项目: | 辽宁省教育厅科学研究一般项目(L2012374). |
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摘 要: | InN材料具有最小的有效质量和最高的载流子迁移率、饱和漂移速率,低场迁移率,是重要的半导体材料。该研究论文以价格低廉的普通玻璃作为InN薄膜的基片,很大程度的降低了其成本价格。本实验以普通康宁玻璃为衬底基片,在AlN/普通康宁玻璃基片结构上,改变不同沉积温度制备,InN薄膜,得到InN/AlN/普通康宁玻璃结构的高功率高频率器件的初期薄膜结构。该研究论文制备的光电薄膜器件均匀性好,薄膜衬底成本廉价,可用于大面积制造大功率,高频率器件,降低其成本价格。
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关 键 词: | InN薄膜 AlN薄膜 普通玻璃衬底 半导体材料与器件 |
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