氮化硅热生长规律

一、问题的提出由二氧化硅掩蔽扩散工作而发展成半导体平面工艺是器件生产的一大进步。但随着半导体工业的发展,对于某些器件的生产发现二氧化硅在掩蔽性能、钝化性能及稳定性都存在着较大的缺陷,以及致密性能不好而引起成品率大大下降。为探讨更完善的掩蔽手段,发现氮化硅薄膜的性能比二氧化硅优越得多。