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N~ 离子束注入庆大霉素产生菌诱变效应研究
引用本文:赵洪英,李彦,裴鸿娇,张铁成.N~ 离子束注入庆大霉素产生菌诱变效应研究[J].天津理工大学学报,2001,17(1).
作者姓名:赵洪英  李彦  裴鸿娇  张铁成
作者单位:1. 天津理工学院材料物理所,天津 300191
2. 天津师范大学物理系,天津 3000740
3. 天津市河北制药厂,天津 300232
4. 天津市河北制药厂,天津?300232
摘    要:用 30kV ,剂量 1 .0× 1 0 1 5ions/cm2 ~ 5.0× 1 0 1 6ions/cm2 的N 离子注入庆大霉素产生菌成熟孢子后 ,作出菌种的存活率曲线 ,为典型的“马鞍型”剂量 -效应曲线 .围绕存活率曲线的峰值区域选取最佳注入剂量对菌种进行诱变育种 ,经筛选得到了高产抗突变菌种 ,摇瓶发酵表明其产抗能力可提高 2 7.39% ,成果显著 .

关 键 词:离子注入  质量沉积  诱变育种  存活率曲线

Study on effect of gentemicin-producers mutagenized and breeded by N~ implanting
ZHAO Hong-ying ,LI Yan ,PEI Hong-jiao ,ZHANG Tie-cheng.Study on effect of gentemicin-producers mutagenized and breeded by N~ implanting[J].Journal of Tianjin University of Technology,2001,17(1).
Authors:ZHAO Hong-ying  LI Yan  PEI Hong-jiao  ZHANG Tie-cheng
Institution:ZHAO Hong-ying 1,LI Yan 2,PEI Hong-jiao 3,ZHANG Tie-cheng 3
Abstract:
Keywords:ion beam implanting  mass deposition  mutagenize and breed  surviving curve
本文献已被 CNKI 万方数据 等数据库收录!
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