| 深亚微米LDD CMOS集成数值模型及环振电路的瞬态模拟 |
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| 引用本文： | 余山,黄敞. 深亚微米LDD CMOS集成数值模型及环振电路的瞬态模拟[J]. 系统工程与电子技术, 1993, 0(9) |
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| 作者姓名： | 余山 黄敞 |
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| 作者单位： | 北京计算机应用和仿真技术研究所(余山)，陕西微电子学研究所(黄敞) |
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| 摘 要： | 根据载流子总量分析方法,建立了深亚微米CMOS集成数值模型,把电路的端特性与器件内部载流子的运动状态联系起来,解决了经验解析公式在亚微米时的局限,完成了对0.20μm LDD CMOS环振电路的瞬态分析,并与实际制做的0.5μmCMOS环振电路进行了比较,最后讨论了集成数值模型在建立亚微米库方面的应用。
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| 关 键 词： | 场效应器件 电路分析 开关电路 瞬态响应 数值模拟 |
Deep Submicron LDD CMOS Integrated Numerical Model and Ring Oscillator Circuit Transient Simulation |
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| Yu ShanBeijing Institute of Computer Application and Simulation TechnologyHuang ChangShaanxi Microelectronics Institute. Deep Submicron LDD CMOS Integrated Numerical Model and Ring Oscillator Circuit Transient Simulation[J]. System Engineering and Electronics, 1993, 0(9) |
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| Authors: | Yu ShanBeijing Institute of Computer Application and Simulation TechnologyHuang ChangShaanxi Microelectronics Institute |
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| Affiliation: | Yu ShanBeijing Institute of Computer Application and Simulation TechnologyHuang ChangShaanxi Microelectronics Institute |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | Deep submicron CMOS Numerical model Ring oscillator circuit Transient analysis. |
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