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| GaAs0.55P0.45发光二极管中的无辐射陷阱 | |
| 作者姓名： | 崔连森 |
| 作者单位： | 潍坊学院,山东,潍坊,261061 |
| 摘 要： | 应用深能级瞬态谱(DLTS)技术,研究了GaAs0.55P0.45红色发光二极管深能级.结果表明,有B陷阱的GaAS0.55P0.45红色发光二极管亮度比有C陷阱的低;并对B陷阱深能级位置的真实值进行了详细计算. |
| 关 键 词： | 深能级 发光亮度 |
| 文章编号： | 1671-4288（2005）04-0062-03 |
| 收稿时间： | 2004-09-20 |
| 修稿时间： | 2004-09-20 |
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