| 大束流Co离子注入形成CoSi_2/Si Schottky结的特性 |
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| 作者单位： | 清华大学微电子学研究所 北京100084(王燕，田立林，王玉花，李英)，清华大学微电子学研究所 北京100084(李志坚) |
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| 摘 要： | 采用 Schottky结源漏结构是克服传统 MOSFET器件短沟效应的一种有效方法。不同于常规的固相反应形成硅化物的方法 ,该文利用金属蒸汽真空弧 (MEVVA)离子源进行强流金属离子注入合成了金属硅化物 Co Si2 ,并首次对其与 Si所形成的 Schottky结特性进行了研究。结果表明85 0℃退火 1m in后已形成 Co Si2 硅化物晶相 ,且结深易于控制。电流特性表明 p型衬底得到了较好的 Schottky结 ,势垒高度为 0 .4 8e V,理想因子为 1.0 9,而 n型衬底形成的Schottky结的理想因子偏大 ,需进一步改进工艺
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| 关 键 词： | 金属蒸汽真空弧 Schottky结 硅化物 |
CoSi_2/Si Schottky junction formed by high flux Co ion implantation |
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| WANG Yan,TIAN Lilin,WANG Yuhua,LI Ying,LI Zhijian. CoSi_2/Si Schottky junction formed by high flux Co ion implantation[J]. Journal of Tsinghua University(Science and Technology), 2003, 0(4) |
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| Authors: | WANG Yan TIAN Lilin WANG Yuhua LI Ying LI Zhijian |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | metal vapor vacuum arc (MEVVA) Schottky junction silicide |
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