分子间作用力对硬盘磁头承载力的影响 |
| |
作者姓名: | 梁丽 王玉娟 陈云飞 |
| |
作者单位: | [1]东南大学机械工程学院,南京211189 [2]东南大学MEMS教育部重点实验室,南京210096 |
| |
摘 要: | 当硬盘驱动器的磁头飞高降至5nm以下时,磁头与磁盘间的分子间作用力不能忽略。以皮米磁头和飞米磁头为模型,模拟了分子间作用力对飞高低于5nm的磁头总承载力的影响。模拟结果表明,分子间作用力改变了飞高低于5nm的磁头承载特性。分子间吸引力使总承载力减小,甚至出现负值,以致使磁头失去承载能力。当飞高进一步降低时,分子间斥力的作用显现出来。由于分子间引力和斥力的作用范围不同,磁头有一段失去承载能力的临界飞高区间。磁头的尺寸因子不同,临界飞高区间也有差别。
|
关 键 词: | 磁头 分子间作用力 飞高 |
本文献已被 维普 等数据库收录! |
|