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| 用于SPICEⅡ程序的耗尽型MOS器件模型 | |
| 引用本文： | 魏同立,何野.用于SPICEⅡ程序的耗尽型MOS器件模型[J].东南大学学报(自然科学版),1986(5). |
| 作者姓名： | 魏同立 何野 |
| 作者单位： | 南京工学院电子工程系，南京工学院电子工程系 |
| 摘 要： | 分析了SPICEⅡ程序模拟耗尽型MOS器件所遇到的限制及其原因,用线性区阈电压和饱区阈电压描述耗尽型器件线性区和饱和区特性,讨论了饱和区阈电压与线性区阈电压之差随衬偏电压变化的关系,建立了耗尽型MOS器件模型及其参数提取的新方法。模拟结果与实验基本吻合。 |
| 关 键 词： | 耗尽型MOS器件模型 线性区 饱和区 阈值电压 |
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