| 脉冲激光沉积GaN薄膜 |
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| 引用本文： | 吕珂,叶志清,薛琴,柯强,闵秋应.脉冲激光沉积GaN薄膜[J].江西师范大学学报(自然科学版),2005,29(5):453-456. |
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| 作者姓名： | 吕珂 叶志清 薛琴 柯强 闵秋应 |
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| 作者单位： | 江西师范大学,物理与通信电子学院,江西,南昌,330027 |
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| 基金项目： | 江西省自然科学基金资助项目（0512016）. |
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| 摘 要： | 采用脉冲激光沉积技术,在Al2O3（0001）衬底上生长GaN薄膜,利用X射线衍射（XRD）、原子力显微镜（AFM）研究了不同沉积温度,不同沉积压强对所生长的GaN薄膜晶体结构特征的影响.研究表明,沉积温度影响GaN薄膜结构,在700～750℃沉积范围内随温度升高,所沉积生长的GaN薄膜具有良好的结晶质量.在5～10Pa沉积气压范围内,提高气压有利提高GaN薄膜的结晶质量.
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| 关 键 词： | GaN薄膜 脉冲激光沉积 X射线衍射 |
| 文章编号： | 1000-5862（2005）05-0453-04 |
| 收稿时间： | 2005-03-20 |
| 修稿时间： | 2005-03-20 |
Structural Properties of GaN Films Grown on Al2O3 Substrate by Pulsed Laser Deposition |
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| L Ke,YE Zhi-qing,XUE Qin,KE Qiang,MIN Qiu-ying.Structural Properties of GaN Films Grown on Al2O3 Substrate by Pulsed Laser Deposition[J].Journal of Jiangxi Normal University (Natural Sciences Edition),2005,29(5):453-456. |
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| Authors: | L Ke YE Zhi-qing XUE Qin KE Qiang MIN Qiu-ying |
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| Institution: | College of Physics and Communication Electronics,Jiangxi Normal University, Nanchang 330027 ,China |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | GaN films pulsed laser deposition XRD |
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