| 多孔硅的形成与理论分析 |
| |
| 引用本文： | 王清涛,李清山,董艳锋,冀会辉. 多孔硅的形成与理论分析[J]. 曲阜师范大学学报, 2002, 28(3): 57-58,76 |
| |
| 作者姓名： | 王清涛 李清山 董艳锋 冀会辉 |
| |
| 作者单位： | 曲阜师范大学物理系，曲阜师范大学物理系，曲阜师范大学物理系，曲阜师范大学物理系 273165，山东省曲阜市，273165，山东省曲阜市，273165，山东省曲阜市，273165，山东省曲阜市 |
| |
| 基金项目： | 山东省自然科学基金资助 (Y98A10 0 13 ) |
| |
| 摘 要： | 综述了多孔硅的形成机制，并分别对用n-Si和p-Si形成多孔硅的机理进行了分析。
|
| 关 键 词： | 多孔硅 空间电荷层 形成机制 Beale耦合模型 扩散限制模型 阳极氧化 量子限制模型 |
| 文章编号： | 1001-5337(2002)03-0057-02 |
ON FORMATION MECHANISMS OF POROUS SILICON |
| |
| WANG Qing_tao,LI Qing_shan,DONG Yan_feng,JI Hui_hui. ON FORMATION MECHANISMS OF POROUS SILICON[J]. Journal of Qufu Normal University(Natural Science), 2002, 28(3): 57-58,76 |
| |
| Authors: | WANG Qing_tao LI Qing_shan DONG Yan_feng JI Hui_hui |
| |
| Abstract: | In this paper, the formation mechanisms of porous silicon are introduced and discussed. The authors believe porous silicon made of n _Si has different formation mechanism from that of p _Si. |
| |
| Keywords: | porous silicon depletion layer diffuse depletion |
| 本文献已被 CNKI 维普 等数据库收录！ |
