| 超导磁通量子比特的制备及Al/AlO_x/Al隧道结特性参数 |
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| 引用本文： | 王林,许伟伟,翟计全,李晓虎,孙国柱,吴培亨.超导磁通量子比特的制备及Al/AlO_x/Al隧道结特性参数[J].科学通报,2014(27). |
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| 作者姓名： | 王林 许伟伟 翟计全 李晓虎 孙国柱 吴培亨 |
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| 作者单位： | 南京大学电子科学与工程学院; |
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| 基金项目： | 国家重点基础研究发展计划(2011CBA00107,2011CBA00202);国家自然科学基金(61371036,11234006,11227904);江苏省自然科学基金(BK2012013);中国工程物理研究院太赫兹重点实验室基金(CAEPTHZ201206)资助 |
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| 摘 要： | 超导量子比特作为利用约瑟夫森结实现量子位的方案之一,具有易集成、易与外界耦合等优点.用双层光刻胶通过深紫外光曝光制备悬空掩膜结构,Al作为超导材料,采用电子束斜蒸发及静态氧化的方法制备了超导磁通量子比特样品.通过对Al薄膜厚度与平整度关系分析,选取60 nm作为隧道结底层Al厚度,增加蒸发源到样品衬底间的距离,提高了Al薄膜平整度,降低了隧道结漏电流.通过透射电子显微镜分析,观测到Al隧道结三层结构,并得到了势垒层厚度和氧分压的关系.
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| 关 键 词： | 超导磁通量子比特 Al/AlOx/Al超导隧道结 静态氧化 透射电子显微镜分析 势垒层厚度 薄膜平整度 漏电比 |
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