InGaAsP四元系量子阱材料的热稳定性 |
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引用本文: | 黄晓东,黄德修.InGaAsP四元系量子阱材料的热稳定性[J].华中理工大学学报,1999,27(10):36-38. |
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作者姓名: | 黄晓东 黄德修 |
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摘 要: | 对与InP晶格匹配的InGaAsP四元系量子阱材料进行了一系列热稳定性能的研究,通过光荧光谱(PL)的测量发现:InGaAsP四元系量子阱材料在650℃以上的常规退火条件下有量子阱混合现象产生,而单量子阱结构较多量子阱或超晶格结构更容易产生量子阱混合。对单量子阱片进行快速退火处理后,荧光峰位置、峰宽无明显变化,表明量子阱混合的产生除了依赖于退火温度的高低,也与退火时间的长短密切相关。
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关 键 词: | 量子阱 InGaAsP 四元系材料 半导体 热稳定性 |
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