| 碳纳米管的K掺杂 |
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| 引用本文： | 李勇 胡陈果 等. 碳纳米管的K掺杂[J]. 重庆大学学报(自然科学版), 2002, 25(8): 34-36 |
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| 作者姓名： | 李勇 胡陈果 等 |
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| 作者单位： | 重庆大学应用科学与技术系 重庆400044(李勇，胡陈果，赵作峰)，重庆大学应用科学与技术系 重庆400044(王万录) |
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| 摘 要： | 对碳纳米管掺杂特性的了解是控制其价电子的关键。研究发现：单壁碳纳米管进行K掺杂后，其电阻率和转折温度T^*（高于此温度后，dρ/dT的符号由负变为正）都会变小；其电阻会随着掺杂浓度的升高而单调下降，直至饱和。文章还对半导体和金属单壁碳纳米管的K掺杂行为通过光吸收谱进行了研究，另外把分子动力学用于了预测K掺杂单壁碳纳米管的结构。
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| 关 键 词： | K掺杂 碳纳米管 电阻率 钾掺杂 电学特性 光吸收谱 |
| 文章编号： | 1000-582X(2002)08-0034-03 |
| 修稿时间： | 2002-04-11 |
K Doping of Carbon Nanotubes |
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| LI Yong,HU Chen guo,ZHAO Zuo feng,WANG Wan lu. K Doping of Carbon Nanotubes[J]. Journal of Chongqing University(Natural Science Edition), 2002, 25(8): 34-36 |
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| Authors: | LI Yong HU Chen guo ZHAO Zuo feng WANG Wan lu |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | carbon nanotubes doping resistivity |
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