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基于场效应管开关阵列的GEM探测器读出方式
引用本文:郑晓翠,李玉兰,来永芳,李金,李元景. 基于场效应管开关阵列的GEM探测器读出方式[J]. 清华大学学报(自然科学版), 2007, 47(6): 855-858
作者姓名:郑晓翠  李玉兰  来永芳  李金  李元景
作者单位:1. 清华大学,工程物理系,北京,100084
2. 清华大学,工程物理系,北京,100084;解放军防化指挥工程学院,北京,102205
3. 中国科学院,高能物理研究所,北京,100049;清华大学,工程物理系,北京,100084
摘    要:为实现探测器信号成像要求,研究一种气体电子倍增膜(gas electron multiplier,GEM)探测器的读出方法。采用印刷电路技术,将读出电极盘与场效应管的分立元件组合构成阵列,通过场效应管开关阵列,读出GEM探测器信号,并实现成像。实测表明:该方法的动态范围(最大信号与噪声高宽的比值)可达7.3×104,积分非线性小于0.324%,灵敏度为2.55 V/nC,可实现30帧/s的实时成像。该方法具有制作工艺简单、参数可调、成本低等优点,为随后采用厚膜技术及薄膜场效应管技术读出GEM探测器提供了重要的设计依据。

关 键 词:信号成像  读出方式  气体电子倍增膜  探测器  场效应管  开关阵列
文章编号:1000-0054(2007)06-0855-04
修稿时间:2006-05-16

Pixel readout for GEM detectors based on switched field effect transistor array
ZHENG Xiaocui,LI Yulan,LAI Yongfang,LI Jin,LI Yuanjing. Pixel readout for GEM detectors based on switched field effect transistor array[J]. Journal of Tsinghua University(Science and Technology), 2007, 47(6): 855-858
Authors:ZHENG Xiaocui  LI Yulan  LAI Yongfang  LI Jin  LI Yuanjing
Abstract:
Keywords:image formation  pixel readout  gas electron multiplier(GEM)  detectors  field effect transistor(FET)  switch array
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