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| 铸造多晶硅的吸杂 | |
| 引用本文： | 石湘波,许志强,施正荣,朱拓,汪义川. 铸造多晶硅的吸杂[J]. 江南大学学报(自然科学版), 2006, 5(6): 749-752 |
| 作者姓名： | 石湘波 许志强 施正荣 朱拓 汪义川 |
| 作者单位： | 1. 江南大学,通信与控制工程学院,江苏,无锡,214122 2. 江南大学,理学院,江苏,无锡,214122;无锡尚德太阳能电力有限公司,江苏,无锡,214028 3. 江南大学,理学院,江苏,无锡,214122 4. 无锡尚德太阳能电力有限公司,江苏,无锡,214028 |
| 摘 要： | 吸杂是减少多晶硅中有害金属杂质的一种有效手段.比较了在800℃、900℃和1 000℃条件下经2 h的磷吸杂、铝吸杂和磷铝共吸杂处理后的多晶硅少子寿命、电性能差异.实验结果表明,磷铝共吸杂少子寿命的增加比仅用磷、铝单独吸杂都明显,但3种吸杂方式对太阳电池电性能都没太大影响;同时发现退火到700℃的热处理并不能有效地改善磷吸杂效果. |
| 关 键 词： | 磷吸杂 铝吸杂 磷铝共吸杂 太阳电池 多晶硅太阳电池 少子寿命 |
| 文章编号： | 1671-7147（2006）06-0749-04 |
| 收稿时间： | 2005-03-10 |
| 修稿时间： | 2005-04-04 |
Study on Cast Multicrystalline Sijicon Wafer by Gettering |
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| SHI Xiang-bo,XU Zhi-qiang,SHI Zheng-rong,ZHU Tuo,WANG Yi-chuan. Study on Cast Multicrystalline Sijicon Wafer by Gettering[J]. Journal of Southern Yangtze University:Natural Science Edition, 2006, 5(6): 749-752 | |
| Authors: | SHI Xiang-bo XU Zhi-qiang SHI Zheng-rong ZHU Tuo WANG Yi-chuan |
| Affiliation: | 1. School of Communication and Control Engineering,Southen Yangtze University, Wuxi 214122, Chinas2. School of Science,Southen Yangtze University, Wuxi 214122,Chinas3. Wuxi Suntech Power Co,Ltd,Wuxi 214028.China |
| Abstract: | |
| Keywords: | transition metal phosphorus gettering aluminium gettering P/AL-cogettering multicrystalline silicon(mc-Si)solar cell minority carrier lifetime |
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