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| 利用Raman光谱测定硅(100)晶面单轴应变的应变系数 | |
| 引用本文： | 段宝兴,杨银堂.利用Raman光谱测定硅(100)晶面单轴应变的应变系数[J].中国科学:信息科学,2010(7):1033-1038. |
| 作者姓名： | 段宝兴 杨银堂 |
| 作者单位： | 西安电子科技大学微电子学院,宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室 |
| 基金项目： | 国家杰出青年科学基金(批准号:60725415);中国博士后科学基金(资助号:20080441164)资助项目 |
| 摘 要： | 建立了表征晶体硅应变量的晶格振动模型,首次计算获得(100)晶面单轴应变硅应变系数b为-336.6cm-1;通过建立的利用Raman光谱测量晶体硅单轴应变量的实验装置,首次获得装置中螺钉旋进量与应变硅应变量的关系;利用波长648nm的Raman激光谱测量了螺钉旋进量为1.5mm时,Raman频移为0.47cm-1,获得(100)晶面单轴应变硅应变系数b为-335.7cm-1.结果与晶格振动模型基本吻合,说明建立的利用Raman光谱频移法表征晶体硅应变量方法的有效性. |
| 关 键 词： | Raman光谱 应变硅 晶格振动 |
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