| GaN外延MOCVD设备反应室温度场的有限元分析及均匀性优化 |
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| 引用本文： | 张进成,李志明,郝跃,王昊,李培咸.GaN外延MOCVD设备反应室温度场的有限元分析及均匀性优化[J].中国科学:信息科学,2010(11):1537-1542. |
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| 作者姓名： | 张进成 李志明 郝跃 王昊 李培咸 |
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| 作者单位： | 西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件重点实验室 |
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| 基金项目： | 国家科技重大专项(批准号:2008ZX01002-002);国家自然科学基金重大项目(批准号:60890191);中国国防科技预研项目(批准号:51308040301)资助 |
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| 摘 要： | 首先采用有限元分析法对自主设计的感应加热MOCVD反应室的电磁场分布进行了数值模拟,得到了反应室内磁场强度的分布和石墨基座焦耳热的分布.然后以石墨基座焦耳热分布作为温度模拟的载荷,基于热传导和热辐射模型,模拟得到了MOCVD反应室和石墨基座的温度分布.为了提高石墨基座表面温度分布的均匀性,通过将常规的石墨基座同心放置调整为偏心放置,有效地改善了温度分布均匀性,同时提高了感应加热的效率.
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| 关 键 词： | MOCVD 感应加热 电磁场 温度场 有限元分析 |
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