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| 新型HfO2栅介质中的频散效应及参数提取方法 | |
| 作者姓名： | 刘红侠 匡潜玮 栾苏珍 ZHAO Aaron TALLAVARJULA Sai |
| 作者单位： | 西安电子科技大学微电子学院,宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室;美国应用材料公司 |
| 基金项目： | 国家自然科学基金(批准号:60976068);教育部科技创新工程重大项目培育资金(批准号:708083);教育部博士点基金(批准号:200807010010);西安应用材料创新基金(批准号:XA-AM-200701)资助项目 |
| 摘 要： | 本文研究了原子层化学气相淀积ALCVD(atom layer chemical vapor deposition)方法淀积的HfO2/SiO2/p-SiMOS电容的电特性.高频时,积累电容出现了频率色散现象.针对双频C-V法测量超薄HfO2/SiO2堆栈栅MOS电容中制备工艺和测量设备引入的寄生效应,给出了改进的等效电路模型,消除了频率色散.研究发现,高k介质中存在的缺陷和SiO2/Si处的界面态,使高频C-V特性发生漂移.对禁带中界面态的分布进行归纳,得到C-V曲线形变的规律.研究了形变的C-V曲线与理想C-V特性的偏离,给出了界面态电荷密度的分布,得到了相对于实测C-V曲线的矫正线.通过比较理想C-V曲线和矫正线,提取了平带电压、栅氧化层电荷、SiO2/Si界面的界面态密度等典型的电学参数. |
| 关 键 词： | 高k栅介质 二氧化铪 频率色散 等效电路模型 双频C-V法 参数提取 |
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