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| 电化学脉冲腐蚀制备多孔硅微腔技术 | |
| 引用本文： | 万小军.电化学脉冲腐蚀制备多孔硅微腔技术[J].湖南城市学院学报(自然科学版),2010,19(1):47-49. |
| 作者姓名： | 万小军 |
| 作者单位： | 湖南城市学院,计算机科学系,湖南,益阳,413000 |
| 基金项目： | 湖南省教育厅科研基金资助项目 |
| 摘 要： | 基于电化学脉冲腐蚀方法,用正交实验法给出了制备多孔硅微腔较为理想的制备参数:脉冲周期为5 ms,占空比为5/10和上下各6个周期的Bragg镜面层,得到了半峰宽为6 nm的窄峰发射的多孔硅微腔.并用了以HF酸扩散为基础的多孔硅动态腐蚀机理对实验结果进行了解释,认为在用电化学脉冲腐蚀法制备多孔硅微腔的过程中,不但要考虑到HF酸对硅的纵向腐蚀(电流腐蚀),也要考虑到HF酸对多孔硅硅柱的横向腐蚀(浸泡腐蚀). |
| 关 键 词： | 多孔硅 微腔 电化学脉冲腐蚀方法 |
Porous Silcon Mirocavities Prepared by a Pulsed Electrochemical Etching Method |
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| Abstract: | |
| Keywords: | |
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