| 缺陷钉扎导致的铁电陶瓷介电弛豫 |
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| 引用本文： | 李立本,郭惠芬,陈庆东,李庆收.缺陷钉扎导致的铁电陶瓷介电弛豫[J].河南科技大学学报(自然科学版),2012(5):93-96,10. |
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| 作者姓名： | 李立本 郭惠芬 陈庆东 李庆收 |
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| 作者单位： | 河南科技大学物理与工程学院;南京大学固体微结构物理国家重点实验室 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金项目(50972056);南京大学固体微结构物理国家重点实验室开放基金项目 |
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| 摘 要： | 把电荷密度波理论引入到铁电陶瓷的介电温谱研究中。指出陶瓷中缺陷的钉扎效应导致介电响应的弛豫。高温时,集体钉扎主导陶瓷的极化行为;低温时,局域亚稳态的弛豫对极化起决定作用。两者的竞争导致介电峰值的出现。理论计算与试验结果定性吻合。
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| 关 键 词： | 铁电陶瓷 介电弛豫 电荷密度波 缺陷钉扎 介电峰值温度 |
Dielectric Relaxation in Ferroelectric Ceramics Induced by Defect Pining |
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| LI Li-Ben,GUO Hui-Fen,CHEN Qing-Dong,LI Qing-Shou.Dielectric Relaxation in Ferroelectric Ceramics Induced by Defect Pining[J].Journal of Henan University of Science & Technology:Natural Science,2012(5):93-96,10. |
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| Authors: | LI Li-Ben GUO Hui-Fen CHEN Qing-Dong LI Qing-Shou |
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| Institution: | 1(1.Physics & Engineering School,Henan University of Science & Technology,Luoyang 471003,China;2.Laboratory of Solid State Microstructures,Nanjing University,Nanjing 210093,China) |
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