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硅基/聚酰亚胺湿度敏感元件研究
引用本文:万灵,温殿忠,白续铎,唐祺,肖艳玲. 硅基/聚酰亚胺湿度敏感元件研究[J]. 黑龙江大学自然科学学报, 2005, 22(6): 822-825
作者姓名:万灵  温殿忠  白续铎  唐祺  肖艳玲
作者单位:黑龙江大学,集成电路重点实验室,黑龙江,哈尔滨,150080;黑龙江大学,集成电路重点实验室,黑龙江,哈尔滨,150080;黑龙江大学,集成电路重点实验室,黑龙江,哈尔滨,150080;黑龙江大学,集成电路重点实验室,黑龙江,哈尔滨,150080;黑龙江大学,集成电路重点实验室,黑龙江,哈尔滨,150080
基金项目:黑龙江大学集成电路重点实验室项目
摘    要:硅基/聚酰亚胺湿度传感器是采用集成电路光刻工艺在硅衬底上制成了以PI材料为介质膜,以金、铝为电极的电容式湿度传感器。给出了聚酰亚胺(PI)材料的感湿机理,硅基/聚酰亚胺湿敏电容的结构,以及湿度传感器的制造工艺、湿敏特性、工作原理及应用等。测试结果表明,在相对湿度为10%-90%RH范围内C-%RH曲线线性度良好。

关 键 词:硅基  聚酰亚胺  湿度传感器  IC工艺
文章编号:1001-7011(2005)06-0822-04
修稿时间:2005-06-11

Study on Si-substrate/polyimide humidity sensing device
WAN Ling,WEN Dian-zhong,BAI Xue-duo,TANG Qi,XIAO Yan-ling. Study on Si-substrate/polyimide humidity sensing device[J]. Journal of Natural Science of Heilongjiang University, 2005, 22(6): 822-825
Authors:WAN Ling  WEN Dian-zhong  BAI Xue-duo  TANG Qi  XIAO Yan-ling
Abstract:Si-substrate/polyimide humidity sensor is a kind of capacitive sensor with polyimide(PI) as a dielectric thin film and Au,Al as electrodes are prepared on a Si substrate using the photolithographic technology for integrated circuits.This paper presents humidity sensing principle of polyimide(PI);the structure of si-substrate/polyimide humidity sensing capacitance;and technologies of fabrication,the humidity sensing characteristics,the operation principle and the applications of the sensors.According to measure result,the sensors are desirable in the range of 10%-90%RH.
Keywords:Si-substrate  polyimide  humidity sensor  the IC technology
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