| Si晶体中60°位错与空位缺陷相互作用的分子动力学研究 |
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| 引用本文： | 杨立军,孟庆元,李根,李成祥,果立成. Si晶体中60°位错与空位缺陷相互作用的分子动力学研究[J]. 西安交通大学学报, 2006, 40(11): 1352-1356 |
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| 作者姓名： | 杨立军 孟庆元 李根 李成祥 果立成 |
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| 作者单位： | 1. 哈尔滨工业大学航天科学与力学系,150001,哈尔滨
2. 哈尔滨工业大学复合材料与结构研究所,150001,哈尔滨 |
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| 摘 要： | 为了研究晶格常数不匹配的异质结结构(Si1-xGex/Si)在生长过程中低温缓冲层内的位错运动特性,在Si晶体中建立了60°位错偶极子,以及相对于位错不同空间位置的5种六边形环状空位缺陷模型.基于分子动力学理论,并通过Parrinello-Rahman方法施加剪应力使位错运动,研究了不同空间位置空位缺陷对于60°位错运动的影响,发现各种类型的空位缺陷均会阻碍位错运动,导致位错线弯曲,而位错远离空位缺陷的部分在交会过程中出现了先加速、后减速的现象.模拟结果表明:使位错不被钉扎住的临界外加剪应力随着温度的上升而减小,在上述模型中当温度达到300K以上就稳定于0.6 GPa附近,小于SiGe体系中的失配应力,说明空位缺陷不会成为60°位错的钉扎点,仅会对其运动产生迟滞.
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| 关 键 词： | 分子动力学 位错 位错运动 空位缺陷 模拟 |
| 文章编号： | 0253-987X(2006)11-1352-05 |
| 收稿时间： | 2006-03-15 |
| 修稿时间： | 2006-03-15 |
Molecular Dynamics Simulation of Interaction Between a 60°Dislocation and Vacancy Defects in Si Crystal |
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| Yang Lijun,Meng Qingyuan,Li Gen,Li Chengxiang,Guo Licheng. Molecular Dynamics Simulation of Interaction Between a 60°Dislocation and Vacancy Defects in Si Crystal[J]. Journal of Xi'an Jiaotong University, 2006, 40(11): 1352-1356 |
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| Authors: | Yang Lijun Meng Qingyuan Li Gen Li Chengxiang Guo Licheng |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | molecular dynamics dislocation dislocation motion vacancy defect simulation |
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