| Bi_(3.15)Nd_(0.85)Ti_3O_(12)薄膜的取向生长及其铁电介电特性研究 |
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| 引用本文： | 乔燕,陈晓琴,祁亚军,卢朝靖,朱劲松.Bi_(3.15)Nd_(0.85)Ti_3O_(12)薄膜的取向生长及其铁电介电特性研究[J].四川大学学报(自然科学版),2005(Z1). |
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| 作者姓名： | 乔燕 陈晓琴 祁亚军 卢朝靖 朱劲松 |
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| 作者单位： | 湖北大学物理学与电子技术学院 南京大学固体微结构物理国家重点实验室 武汉 江汉大学物理与电子信息工程学院 |
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| 摘 要： | 用sol-gel工艺直接在Pt/Ti/Si O2/Si衬底上制备出了a轴择优取向(α(100)=62%)和高c轴取向(α(100)=96%)的Bi3.15Nd0.85Ti3O12(BNdT)薄膜.发现BNdT薄膜的铁电介电性能强烈依赖于晶粒取向.a轴择优取向BNdT薄膜的2Pr和εr值最高,分别为65μC/cm2和343(100kHz处);随机取向薄膜的2Pr和εr值为34μC/cm2和331;而高c轴取向薄膜的2Pr和εr值最低,分别为23μC/cm2和218.上述结果表明,BNdT的自发极化矢量靠近a轴.纯a轴取向BNdT薄膜的2Pr值可估算为84μC/cm2.
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| 关 键 词： | Bi_（3.15）Nd_（0.85）Ti_3O_（12） 铁电 薄膜 |
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