国产 LaBr3:Ce 晶体性能表征 |
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引用本文: | 迟林翔,徐炯辉,刘军辉,成枫锋.国产 LaBr3:Ce 晶体性能表征[J].北京师范大学学报(自然科学版),2015(2):136-139. |
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作者姓名: | 迟林翔 徐炯辉 刘军辉 成枫锋 |
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作者单位: | 射线束技术与材料改性教育部重点实验室,北京师范大学核科学与技术学院,100875,北京;北京市辐射中心,100875,北京;中核核电运行管理有限公司,314300,浙江海盐;二炮装备研究院六所,100085,北京 |
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基金项目: | 北京师范大学自主科研基金,中央高校基本科研业务费专项资金资助项目 |
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摘 要: | 作为近年来发展起来的新晶体,LaBr3:Ce有着很高的发光产额(~60 000p·MeV-1)和较快的发光衰减时间常数(~16ns),因而成为研究热点.国内对LaBr3:Ce晶体的研究生产时间不长,仅有少数几家单位具备生产研究条件.本工作采用北京华凯龙电子有限公司生产的LaBr3:Ce晶体(晶体尺寸为φ30mm×20mm),配合XP20D0光电倍增管,采用单光电子方法测量得到其光电子产额为16 800pe·MeV-1;测量了其发光衰减曲线,计算得到其上升时间为5.6ns,发光衰减时间常数为21ns;其对137 Cs的能量分辨率为3.3%;采用两块φ30 mm×20 mm的LaBr3:Ce晶体与两只XP20D0光电倍增管,测量得到对22 Na的符合时间分辨率为191ps;这些表征为国产LaBr3:Ce晶体的γ谱仪研究提供了重要参考.
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关 键 词: | LaBr3 γ谱仪 闪烁体 |
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