超导量子芯片硅穿孔填充技术 |
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作者姓名: | 郑伟文 栾添 张祥 |
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作者单位: | 2. 中国电子科学研究院 |
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基金项目: | 苏州市科技计划项目(ZXL2022424); |
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摘 要: | 超导量子计算是目前最有可能实现实际应用的量子计算方案之一,多层堆叠是实现超导量子比特大规模扩展的最佳方案。介绍了超导量子芯片中硅穿孔(TSV)填充工艺的特点并汇总概括了当前超导TSV填充技术。以电镀和金属熔融填充为代表的完全填充工艺具有器件可靠性高、工艺复杂度低等优点,但与半导体技术兼容性较差;以物理气相沉积、化学气相沉积、原子层沉积和快速原子连续沉积技术为代表的部分填充工艺,具有与半导体技术兼容性好的优点,但器件可靠性低、工艺复杂度高。开发新材料的电镀工艺或许是未来较为可靠的方案。
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关 键 词: | 超导量子 多层堆叠 硅穿孔 薄膜沉积 |
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