| 具有低功耗和多值存储性能的双层WO_X/AlON阻变存储器的研究 |
| |
| 引用本文： | 田晓鹏,林殷茵. 具有低功耗和多值存储性能的双层WO_X/AlON阻变存储器的研究[J]. 复旦学报(自然科学版), 2013, 52(3): 309-313 |
| |
| 作者姓名： | 田晓鹏 林殷茵 |
| |
| 作者单位： | 复旦大学专用集成电路与系统国家重点实验室,上海,201203 |
| |
| 基金项目： | 国家"863"高技术研究发展计划资助项目，上海市自然科学基金重点项目，国家自然科学基金资助项目 |
| |
| 摘 要： | 针对当前阻变存储器(RRAM)面临的功耗和高密度存储的问题,介绍了一种降低功耗和形成多值存储能力的器件结构.相比单层结构的AlON RRAM,双层结构的WOX/AlON RRAM具有低至10μA的复位(reset)电流,1 000次以上的转换特性(endurance),较低的操作电压,以及多值存储等性能.针对WOX/AlONRRAM,提出了WOX介质层的等效电路模型为固定电阻与二极管串联模型.在直流置位(DC set)过程中,电路中存在一个较大的过冲电流,使得无法通过控制限流来获得不同大小的低阻态.在增加WOX介质层后,在WOX层和AlON层间形成了界面肖特基势垒,因此有效地抵抗了过冲电流,提高了低阻态的可控性.
|
| 关 键 词： | WOX AlON WOX/AlON reset电流 多值存储 |
A WOx/AlON Dual-layer Resistive RAM with Low Power and Multi-level Storage Characteristic |
| |
| TIAN Xiao-peng,LIN Yin-yin. A WOx/AlON Dual-layer Resistive RAM with Low Power and Multi-level Storage Characteristic[J]. Journal of Fudan University(Natural Science), 2013, 52(3): 309-313 |
| |
| Authors: | TIAN Xiao-peng LIN Yin-yin |
| |
| Affiliation: | (State Key Laboratory of ASIC and System,Fudan University,Shanghai 201203,China) |
| |
| Abstract: | |
| |
| Keywords: | WOx AlON WOx/AlON reset current multi-level storage |
| 本文献已被 CNKI 万方数据 等数据库收录！ |
|
