| 基于Cu_xSi_yO阻变材料的RRAM抗总剂量辐照性能 |
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| 引用本文： | 朱伟,简文翔,薛晓勇,林殷茵.基于Cu_xSi_yO阻变材料的RRAM抗总剂量辐照性能[J].复旦学报(自然科学版),2013,52(3):292-296. |
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| 作者姓名： | 朱伟 简文翔 薛晓勇 林殷茵 |
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| 作者单位： | 复旦大学专用集成电路与系统国家重点实验室,上海,201203 |
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| 基金项目： | 国家"863"高技术研究发展计划资助项目，国家自然科学基金资助项目，上海市自然科学基金重点项目 |
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| 摘 要： | 研究了基于CuxSiyO结构的阻变式随机存储器(RRAM)的抗总剂量辐照能力.存储器芯片置于钴源辐照室内,通过60 Co释放出的γ射线模拟空间辐照环境.在辐照总剂量达到3 000Gy的条件下,单元仍然可以保持原有的存储信息,高低阻态的阻值、写电压、良率等性能几乎没有任何衰减.良好的辐照特性使得RRAM有望在抗辐射领域中得到广泛应用.
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| 关 键 词： | 阻变式随机存储器 总剂量辐照 CuxSiyO 60Coγ射线 |
Radiation Tolerance against TID Effect of CuxSiyO-based RRAM |
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| ZHU Wei,JIAN Wen-xiang,XUE Xiao-yong,LIN Yin-yin.Radiation Tolerance against TID Effect of CuxSiyO-based RRAM[J].Journal of Fudan University(Natural Science),2013,52(3):292-296. |
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| Authors: | ZHU Wei JIAN Wen-xiang XUE Xiao-yong LIN Yin-yin |
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| Institution: | (State Key Laboratory of ASIC and System,Fudan University,Shanghai 201203,China) |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | RRAM total ionizing dose CuxSiyO 60Coγray |
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