| 先进逻辑工艺下SRAM漏电流测试 |
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| 引用本文： | 陈浩,董庆,马亚楠,林殷茵.先进逻辑工艺下SRAM漏电流测试[J].复旦学报(自然科学版),2013,52(4):535-540,546. |
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| 作者姓名： | 陈浩 董庆 马亚楠 林殷茵 |
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| 作者单位： | 复旦大学专用集成电路与系统国家重点实验室,上海,201203 |
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| 基金项目： | 国家"863"高技术研究发展计划 |
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| 摘 要： | 对于65nm及以下的先进逻辑工艺,SRAM的漏电流功耗占据了保持状态下功耗的一半以上,成为降低功耗的主要瓶颈之一.精确测量漏电流成为优化工艺从而降低功耗的先决条件.在保持SRAM原有版图环境不变的情况下,通过对SRAM施加不同激励,将栅漏电流、结漏电流和衬底漏电流这3种漏电流有效地区分出来.通过大量的测试,得到在不同温度下SRAM漏电流的相应数据结果用以分析,并对漏电流在整片晶圆内的系统波动和局部随机波动进行了讨论.
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| 关 键 词： | 漏电流 SRAM 测试方法 四端结构 随机波动 |
Measurement of SRAM Standby Leakage under Advanced Logic Process |
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| CHEN Hao,DONG Qing,MA Ya-nan,LIN Yin-yin.Measurement of SRAM Standby Leakage under Advanced Logic Process[J].Journal of Fudan University(Natural Science),2013,52(4):535-540,546. |
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| Authors: | CHEN Hao DONG Qing MA Ya-nan LIN Yin-yin |
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| Institution: | (State Key Laboratory of ASIC and System,Fudan University,Shanghai 201203,China) |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | leakage current SRAM measurement 4-terminal random variation |
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