| Schottky结构半导体粒子探测器的辐射测试 |
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| 引用本文： | 邵传芬 张利民. Schottky结构半导体粒子探测器的辐射测试[J]. 上海交通大学学报, 1997, 31(1): 98-100 |
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| 作者姓名： | 邵传芬 张利民 |
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| 作者单位： | [1]上海交通大学微电子技术研究所 [2]上海市计量技术研究所 |
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| 基金项目： | 上海市自然科学基金,上海市高教局资助 |
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| 摘 要： | 提出一种金属－半导体－金属Ｓｃｈｏｔｔｋｙ结构的粒子探测器，它用高迁移率，半缘绝的Ⅲ－Ⅴ族化合物半导体ＧａＡｓ为材料制成大面积的粒子探测器。经过能量为１．５ＭｅＶ，剂量分别为５００ｋＧｙ和１ＭＧｙ的电子辐射和剂量分别为３００ｋＧｙ和５００ｋＧｙ的＾６０Ｃｏγ射线辐射，探测器能正常工作，是一种新型的经得起强辐射的粒子探测器。
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| 关 键 词： | 肖特基结构 辐射 半导体探测器 粒子探测器 |
Radiation Tests on Semiconductor Particle Detectors with Schottky Structure |
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| Shao Chuanfen Shi Changxin. Radiation Tests on Semiconductor Particle Detectors with Schottky Structure[J]. Journal of Shanghai Jiaotong University, 1997, 31(1): 98-100 |
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| Authors: | Shao Chuanfen Shi Changxin |
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| Abstract: | A particle detector with metal semiconductor metal structure is reported in this paper. This detector of 9 mm 2 is fabricated with the semi insulation GaAs material of high mobility. Having experienced by electronic radiation test with 500 kGy or 1 MGy of 1.5 MeV and radioactivity Gamma test of 300 or 500 kGy,the detector can work normally and is proved a promising particle detector under radiation hardness. |
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| Keywords: | Schottky structure detector radiation hardness |
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