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| 对 a-SiC∶H膜平面电极结构样品的空间电荷限制电流的测量 | |
| 引用本文： | 王印月 ,张仿清 ,张彦博 ,陈光华.对 a-SiC∶H膜平面电极结构样品的空间电荷限制电流的测量[J].兰州大学学报(自然科学版),1986(3). |
| 作者姓名： | 王印月 张仿清 张彦博 陈光华 |
| 摘 要： | 对平面电极结构样品用测量空间电荷限制电流(SCLC)的方法测 GD—a—SiC∶H 膜的隙态密度 N(E),通过测量临界电压与电极间距的关系 Vc～d 从而确认 SCLC 的存在;按隙态的指数分布由超线性 I～V 曲线确定出描述隙态的特征温度 Tt 和陷阱参量 Nt 从而测得 N(E),我们得到 N(E_F)约为2×10~(15)/Cm~3·ev. |
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