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硅外延片背面边缘异常黑斑原因分析及研究
作者姓名:
彭永纯
边娜
作者单位:
中国电子科技集团公司第四十六研究所
摘 要:
随着客户对外延片边缘的关注度不断增加,部门对质量意识的不断提升,针对硅外延片边缘异常黑斑进行原因分析及研究,分别从异物沾污、晶棒缺陷、衬底加工及外延工艺方面展开分析,最终确定此异常现象为衬底加工中倒角工艺过度研磨及外延生长中HCL抛光共同导致。由此,供应商通过进一步改善倒角工艺,提高了外延片边缘质量水平。
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