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| VGF法SI-GaAs单晶生长工艺与固液界面形状的研究 | |
| 引用本文： | 边义午.VGF法SI-GaAs单晶生长工艺与固液界面形状的研究[J].天津科技,2019(2). |
| 作者姓名： | 边义午 |
| 作者单位： | 中国电子科技集团公司第四十六研究所 |
| 摘 要： | 阐述了VGF法SI-GaAs单晶生长工艺中非平坦形固液界面形成的原因,分析了由此导致的单晶尾部径向电阻率不均匀性分布及单晶可利用率低的原因。在等径生长阶段引入VB走车工艺,并通过实验验证了VB走车工艺的应用效果,有效改善了固液界面形状和单晶尾部电阻率不均匀性,提升了SI-GaAs单晶的可利用长度。 |
| 本文献已被 CNKI 等数据库收录！ | |