ZnO压电薄膜的生长与应用 |
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引用本文: | 孙宏明,郭航.ZnO压电薄膜的生长与应用[J].科技通讯(上海),2008,14(1):258-262. |
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作者姓名: | 孙宏明 郭航 |
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作者单位: | 厦门大学萨本栋微机电研究中心,厦门361005 |
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摘 要: | 本文实验研究了ZnO压电薄膜的生长与表征,运用XRD和SEM测试了磁控溅射生长的ZnO压电薄膜的C轴择优取向生长情况和晶粒质量,比较了Si、覆盖在Si基底上的Al薄膜和SixNy薄膜三种材料衬底以及退火处理对ZnO薄膜的结晶质量的影响。还开发了仍然采用Al作为底电极但用一层SixNy薄膜与ZnO层隔离的MEMS压电器件的微制造工艺,以满足生长高质量的ZnO压电薄膜并与CMOS工艺兼容的要求。
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关 键 词: | ZnO薄膜 磁控溅射 退火 XRD MEMS器件 |
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