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| GaAs／AlGaAs多量子阱结构材料的光致发光特性 | |
| 引用本文： | 王卿璞,陈寿花.GaAs／AlGaAs多量子阱结构材料的光致发光特性[J].山东大学学报(自然科学版),1999,34(1):53-57. |
| 作者姓名： | 王卿璞 陈寿花 |
| 作者单位： | [1]山东大学物理系 [2]山东大学光电所 |
| 摘 要： | 采用ＭＯＣＶＤ技术制备了ＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓ多量子阱结构材料，对其进行了光致发光特性的测量，结果观察到５个发光峰，其波数分别为ｕ＝９６００ｃｍ＾－１，１２０２０ｃｍ＾－１，１２２４０ｃｍ＾－１１２５５０ｃｍ＾－１和１３０７０ｃｍ＾－１，并对发光峰的位置进行了理论的说明。 |
| 关 键 词： | 多量子阱 光致发光 半导体 砷化镓 镓铝砷化合物 |
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