| ITO透明导电薄膜的制备及光电特性研究 |
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| 引用本文： | 陶海华,姚宁,辛荣生,边超,张兵临. ITO透明导电薄膜的制备及光电特性研究[J]. 郑州大学学报(理学版), 2003, 35(4): 37-40 |
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| 作者姓名： | 陶海华 姚宁 辛荣生 边超 张兵临 |
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| 作者单位： | 1. 郑州大学物理工程学院,郑州,450052
2. 郑州大学材料工程学院,郑州,450052 |
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| 摘 要： | 论述了高温直流磁控反应溅射法制备ITO透明导电薄膜时氧分压、溅射气压和溅射电流等参数对其光电特性的影响 .当氧分压、溅射气压和溅射电流过高或过低时 ,会导致金属In ,InO ,SnO和Sn3 O4等物质以及晶体缺陷的生成 ,从而降低ITO薄膜的导电性或可见光透过率 ,甚至同时降低其光电性能 .实验结果表明 ,当Ar流量为 4 0 2cm3 ·min-1、温度为 36 0℃和旋转溅射时间为 90min等参数保持不变时 ,ITO薄膜光电特性最佳溅射参数的氧流量为 0 4 2cm3 ·min-1,溅射气压为 0 5Pa ,溅射电流 0 3A(溅射电压约为 2 4 5V ) ,所得薄膜的方块电阻为 5 7Ω、波长为 5 5 0nm的绿光透过率达到 88 6 % (洁净玻璃基底的绿光透光率为 91 6 % ) .
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| 关 键 词： | ITO透明导电薄膜 制备 光电特性 直流磁控反应溅射法 透过率 氧化铟锡 |
| 文章编号： | 1671-6841(2003)04-0037-04 |
| 修稿时间： | 2003-06-28 |
Preparation and Characteristics of ITO Transparent Conductive Thin Films |
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| Tao Haihua,Yao Ning,Xin Rongsheng,Bian Chao,Zhang Binglin. Preparation and Characteristics of ITO Transparent Conductive Thin Films[J]. Journal of Zhengzhou University(Natrual Science Edition), 2003, 35(4): 37-40 |
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| Authors: | Tao Haihua Yao Ning Xin Rongsheng Bian Chao Zhang Binglin |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | Indium Tin-Oxide(ITO) thin films DC magnetron reactive sputtering technique current-illumination characteristics transmission |
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