| 二氧化硅分子0001~0000跃迁带光谱的计算 |
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| 作者姓名： | 伍冬兰 张新琴 谢安东 余晓光 万慧军 |
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| 作者单位： | 井冈山大学数理学院,吉安,343009 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金(10965002);江西省教育厅科学技术项目(GJJ11540);江西省自然科学基金(2010GQW0031) |
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| 摘 要： | 利用我们计算所得的配分函数、将常温下的无转动跃迁矩平方近似为一常数并应用于高温和文献中的HermanWallis因子系数进一步编制程序，计算了二氧化硅分子0001~0000跃迁带从低温到高温的谱线强度，并且获得其模拟光谱图.在文献中，我们计算的配分函数值与高斯计算值及拟合值，不管是在常温还是高温下，符合都较好，这说明我们选择的模型是可靠的，可以用来进一步计算谱线强度；从获得的不同温度段的模拟光谱图也可以看出，我们的计算结果完全符合线性分子的谱带特征.这对进一步研究星际分子高温光谱的实验和理论都具有一定的参考作用.
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| 关 键 词： | 二氧化硅 线强度 高温光谱 |
| 收稿时间： | 2010-11-13 |
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