| 锑在弱碱溶液中阳极形成膜半导体性质的研究 |
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| 引用本文： | 张亿良.锑在弱碱溶液中阳极形成膜半导体性质的研究[J].上饶师范学院学报,2000,20(3):41-45. |
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| 作者姓名： | 张亿良 |
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| 作者单位： | 上饶师专化学系,江西,上饶,334001 |
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| 摘 要： | 采用交流阻抗和白光电流测量法,研究了锑在恒电位1.2V(VS.SCE)于0.025mol.dm-3Na2CO3+0.025mo1.dm-3Na2HCO3+0.500mol.dm-3Na2SO4(PH=9.98,30℃)缓冲溶液中阳极形成膜半导体性质.实验证明,该阳极氧化膜是一种n-型半导体,其平带电位Efb和施主密度ND分别为-0.53V(VS.SCE)和2.86×1018cm-3.
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| 关 键 词： | 锑 阳极膜 平带电位 施主密度 M-S方程 |
| 文章编号： | 1004-2237(2000)03-0041-05 |
| 修稿时间： | 2000年3月30日 |
The Study of Semiconducting Properties of the Anodic Oxide Film on Antimony in Alkalescent Solution |
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| ZHANG Yi-liang.The Study of Semiconducting Properties of the Anodic Oxide Film on Antimony in Alkalescent Solution[J].Journal of Shangrao Normal College,2000,20(3):41-45. |
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| Authors: | ZHANG Yi-liang |
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| Abstract: | |
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