| C+注入SiO2薄膜的蓝光发射 |
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| 引用本文： | 赵俊,杨根庆,林梓鑫,江炳尧,周祖尧,柳襄怀.C+注入SiO2薄膜的蓝光发射[J].科学通报,1997,42(23):2575-2576. |
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| 作者姓名： | 赵俊 杨根庆 林梓鑫 江炳尧 周祖尧 柳襄怀 |
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| 作者单位： | 中国科学院上海冶金研究所离子束开放实验室!上海200050，中国科学院上海冶金研究所离子束开放实验室!上海200050，中国科学院上海冶金研究所离子束开放实验室!上海200050，中国科学院上海冶金研究所离子束开放实验室!上海200050，中国科学院上海冶金研究所离子束开放实验室!上海20 |
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| 基金项目： | 上海市发展基金资助项目 |
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| 摘 要： | 自从发现多孔硅室温发射可见光现象以来,硅基纳米结构第Ⅳ族半导体发光研究引起了广泛关注。这不仅可以使传统的、成熟的硅平面工艺直接应用于光电器件中去,而且为介观系统新现象、新规律研究提供了一个理想的研究体系。由于SiO_2在硅集成电路中应
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| 关 键 词： | 二氧化硅 薄膜 蓝光发射 离子注入 半导体 |
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