| Fe掺杂GaN稀磁半导体材料研究 |
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| 引用本文： | 陶志阔,陈琳. Fe掺杂GaN稀磁半导体材料研究[J]. 南京邮电大学学报(自然科学版), 2012, 32(5): 153-158 |
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| 作者姓名： | 陶志阔 陈琳 |
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| 作者单位： | 南京邮电大学电子科学与工程学院,江苏南京,210023 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金，江苏省高校自然科学基金，南京邮电大学引进人才科研启动基金 |
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| 摘 要： | 用金属有机物化学气相沉积(MOCVD)技术生长出不同Fe掺杂浓度的GaN薄膜,并对其微观结构、表面形貌以及磁学性能进行了研究。对于低掺杂浓度的Fe掺杂GaN样品,X射线衍射和高分辨透射电镜均没有发现其他相物质存在;对于高浓度掺杂的样品,X射线衍射探测到了Fe单质和Fe3N存在。通过高分辨透射电镜图像,观察到了晶格中的Fe3N纳米团簇,并且发现团簇以Fe3N[0002]晶轴平行于GaN[0002]晶轴的方式存在于GaN晶格之中。同时,随着掺杂浓度的增高,薄膜表面粗糙度增加。磁学测量表明,不同掺杂浓度的样品都显现出明显的室温铁磁性。
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| 关 键 词： | 金属有机物化学气相沉积 稀磁半导体 团簇 |
Research on Fe Doped GaN Diluted Magnetic Semiconductor |
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| TAO Zhi-kuo , CHEN Lin. Research on Fe Doped GaN Diluted Magnetic Semiconductor[J]. JJournal of Nanjing University of Posts and Telecommunications, 2012, 32(5): 153-158 |
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| Authors: | TAO Zhi-kuo CHEN Lin |
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| Affiliation: | Colllege of Electronic Sience Engineering,Nanjing University of Posts and Telecommunications,Nanjing 210023,China |
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