|
|||||
|
|
| 一种X波段低插损5位数控衰减器设计 | |
| 作者单位： | ;1.天津大学电子信息工程学院 |
| 摘 要： | 该文基于IBM 0.18μm Si Ge Bi CMOS工艺,采用混合结构设计了一种可用于X波段相控阵的5位数控衰减器.通过电路分析和计算,确定了电路中的元件参数,通过对NMOS开关进行仿真分析,得到了最优尺寸.阐述了一种插损补偿技术,即在输入输出端引入串联电感来降低电路的插损并且优化端口匹配.仿真结果显示,该衰减器的插损小于5.0 d B;所有状态的相移小于7°;输入端口回波损耗小于-15.7 d B,输出端口回波损耗小于-16.65 d B. |
| 关 键 词： | NMOS开关 相控阵 数控衰减器 插损补偿 混合结构 |
Design of an X-band 5-bit digital attenuator with low insertion |
|
| Abstract: | |
| Keywords: | |
| 本文献已被 CNKI 等数据库收录！ | |