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| 基于键合线模拟的SiGe BiCMOS 915 MHz功率放大器的设计 | |
| 作者单位： | ;1.天津大学电子信息工程学院 |
| 摘 要： | 针对射频识别技术的应用,该文设计了一款全集成的射频功率放大器.该功率放大器的中心工作频率为915MHz,采用0.18μm Si Ge Bi CMOS工艺的两级单端结构.由于键合线的寄生效应会造成功率放大器的输出功率和效率的减小,本文利用HFSS(High Frequency Simulator Structure)软件建立和分析了键合线的模型,并利用ADS(Advanced Design System)软件拟合仿真数据得到了键合线的等效电路.在功率放大器的仿真中,利用键合线的等效电路来模拟键合线的寄生效应,在此基础上优化电路,最终芯片的面积为(1.6×1.2)mm~2.后仿结果表明,在3.3 V的电源电压下,在860 MHz~960 MHz的工作频段类,输入回波损耗小于-12 d B,输出回波损耗小于-15 d B.功率放大器的1 d B压缩点的输出功率为23 d Bm,功率附加效率(Power-Added Efficiency,PAE)大于20%,功率增益为17.8 d B. |
| 关 键 词： | SiGe BiCMOS HFSS 键合线 功率放大器 |
Design of 915 MHz SiGe BiCMOS power amplifier based on the simulation of bond wires |
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| Abstract: | |
| Keywords: | |
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